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LED防爆投光灯100WRLB97

LED防爆投光灯100WRLB97

简要描述:

LED防爆投光灯100WRLB97 ,防爆灯厂家适用范围
1.适用于爆炸性气体环境1区、2区危险场所;2.适用于IIA、IIB、IIC级爆炸性气体环境;3.适用于可燃性粉尘环境20区、21区、22区;4.适用于温度组别为T1—T6的环境。

产品时间:2019-08-14

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一、LED防爆投光灯100WRLB97 

概况
本公司为了满足、油田、矿井、石化、铁路、电力和钢铁等工矿企业室内外移动照明需要,研制开发生产的新一代防爆泛光工作灯,经国家权威机构防爆认证,可在各种易燃易爆场所安全工作。 
 
二、性能特点
1、安全性能:已符合国家权威机构防爆标准,完全按照国家防爆标准生产。具有极佳的防爆、抗静电性能,突破传统的灯头防爆,灯箱不防爆缺陷.2可在各种易燃易爆场所命案工作。
3、防水性能:全密封性工艺设计,防水防尘,特制合金外壳确保产品能经受强力碰撞和冲击。
4、高效性能:选用特殊气体放电光源,发光效率高,光通量为3200Lm,是同功率卤素灯泡的5倍;照度是100W卤素灯泡的3倍;灯泡寿命长1000小时;是普通卤素灯泡的5-10倍;在相同亮度指标下,所消耗的电量是普通卤素灯泡的15%,而且防震效果好,发热量小,更加安全可靠。
5、环保性能:高能无记忆电池可随时充电,一次充足电后,放置一年储电量不低于满容量的80%;两年内不低于满容量的50%,并没有低压过放电保护电路,可靠的保护电池,延长电池使用寿命。
6、使用方便:独特的灯头结构设计,照明角度可任意调节,灯箱装有轮子,方便移动,工作时简单、轻松。 
 
三、主要技术参数
HID/卤素光源
额定电压:24V
额定容量:20Ah
特制灯泡
工作电压:24V
额定功率:35W
光 通 量:3200lm
放电时间:>11h
充电时间:
正常使用:12h
电池耗尽:≥16h
电池寿命:约1000次循环
外形尺寸:270x228x600mm
三角支架:3000mm
重    量:15Kg

四、品质保证
本产品严格按照IS9001:2000国际质量管理体系标准进行质量控制,确保产品高于国家标准,完全达到设计要求,产品正常使用下出现任何故障由本公司免费维修。

LED防爆投光灯100WRLB97 ,防爆灯厂家适用范围
1.适用于爆炸性气体环境1区、2区危险场所;

2.适用于IIA、IIB、IIC级爆炸性气体环境;

3.适用于可燃性粉尘环境20区、21区、22区;

4.适用于温度组别为T1—T6的环境。

性能特点

1、配T8LED灯管,光源高效节能,比T8荧光灯管节能50%以上。
2、通过独特的配光设计,精确控制LED光源的光型及发光角度,避免光污染以及无效的光利用;光线柔和,无眩光,不会引起作业人员的眼睛疲劳,提高工作效率。
3、外壳采用轻质铝合金压铸成型,表面采用高压静电喷塑处理。
4、灯具内部设有接线腔,并有专用接线端子。用户在安装时可直接进线,不必另设接线盒,方便安装。
5、更换灯管时,只需折下端盖,就可直接进行更换灯管。
6、可根据客户要求选配国际著名品牌T5荧光灯管,光效高,更加符合实际照明环境,与T8荧光灯管相比节电30%左右。
7、可根据用户要求配装应急装置,内置灯体内质量轻,当外界断电时,灯具自动切换应急照明状态。

过多年的发展,中国LED产业链已经日趋完善,企业遍布衬底、外延、芯片、封装、应用各产业环节。但纵观整体产业链条,由于上游产业对于技术和资金要求较高,导致国内企业极少涉足,因此产业存在企业数量少,规模小的特点。相比之下,由于下游封装和应用对企业提出的资金和技术要求相对较低,这恰恰与国内企业资金少,技术弱的特点相匹配,因此,国内从事这两个环节的企业数量较多。这种企业结构分布不均的局面导致中国LED产业多以低端产品为主,企业长期面临严峻的价格压力。随着国家半导体照明工程的启动,中国LED产业发展“一头沉”的状态正在发生改变,中国LED上游产业得到了较快的发展,其中芯片产业发展最为引人注目。但单从产业规模看,封装仍是中国LED产业中最大的产业链环节。2006年包括了衬底、外延、芯片、封装四个环节的中国LED产业总产值达到105.5亿元,其中封装环节产值达到87.5亿元。 

近几年,诸如显示屏、景观照明、交通指示灯、汽车应用、背光源等LED应用市场迅速兴起。这些新兴应用市场对于LED发光效率要求的不断提升催生了对中、高端产品的需求。随着市场需求的增多,中国LED芯片产业产品升级步伐逐渐加快,中国LED芯片产品将整体走向高端。另一方面,中国LED封装产业的快速发展,也为LED芯片提供了广阔的市场需求。不断扩展的市场需求为中国LED产业的发展提供了良好的外部环境。  
除了良好的外部环境外,国家对LED产业的发展也给予了大力支持。2006年,根据我国自身半导体照明的发展现状,国家制定了符合自身发展的半导体照明产业发展计划和2006年技术发展路线图。在2006年技术发展路线图中,对于LED芯片的投资将占包括材料、衬底、外延、封装、应用以及设备在内的整体LED产业投资的20%,研究重点将放在GaN芯片的生产以及功率芯片的研发上。  
虽然拥有广泛的市场需求以及国家的大力支持,但我们也不得不承认,现阶段中国LED芯片产业仍然存在核心技术缺乏、专业人才短缺、产品质量不高、设备自主生产能力弱等发展困境,如何解决上述问题是我国LED芯片产业能否持续健康快速发展的关键。  

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