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矿用隔爆型LED巷道灯功率12WLED防爆灯

矿用隔爆型LED巷道灯功率12WLED防爆灯

简要描述:

矿用隔爆型LED巷道灯功率12WLED防爆灯
1灯具开启前需保证出线孔口的压紧螺母压紧导线;
2.灯具开启前外部接地线必须可靠连接;
3.灯具在运行中,电压须在规定的使用范围内;
4.严禁在灯具运行时或未切断外部电源时拆开本灯具。

产品时间:2019-08-14

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矿用隔爆型LED巷道灯功率12WLED防爆灯
光源散热采用叶片式对流散热技术,电源散热采用大散热片结构,使热量能够快速散发,从而保护LED寿命
■灯具的驱动电器,均采用:欧司朗、飞利浦、亚明、明纬等国内外知名品牌。功率因数高达0.98,多重保护,稳定性及及寿命居行业之首;
■灯具的角度紧缩装置能保证灯具在震动环境也不会改变照射方位;
■采用高科技表面喷涂技术,耐磨抗腐蚀,防水防尘,适用于各种恶劣环境;
■隔爆型防爆等级,可在各种易燃易爆场所安全使用;
■可并联接线,省去了接线盒及安装成本。

 近几年,诸如显示屏、景观照明、交通指示灯、汽车应用、背光源等LED应用市场迅速兴起。这些新兴应用市场对于LED发光效率要求的不断提升催生了对中、高端产品的需求。随着市场需求的增多,中国LED芯片产业产品升级步伐逐渐加快,中国LED芯片产品将整体走向高端。另一方面,中国LED封装产业的快速发展,也为LED芯片提供了广阔的市场需求。不断扩展的市场需求为中国LED产业的发展提供了良好的外部环境。  
    
除了良好的外部环境外,国家对LED产业的发展也给予了大力支持。2006年,根据我国自身半导体照明的发展现状,国家制定了符合自身发展的半导体照明产业发展计划和2006年技术发展路线图。在2006年技术发展路线图中,对于LED芯片的投资将占包括材料、衬底、外延、封装、应用以及设备在内的整体LED产业投资的20%,研究重点将放在GaN芯片的生产以及功率芯片的研发上。

 过多年的发展,中国LED产业链已经日趋完善,企业遍布衬底、外延、芯片、封装、应用各产业环节。但纵观整体产业链条,由于上游产业对于技术和资金要求较高,导致国内企业极少涉足,因此产业存在企业数量少,规模小的特点。相比之下,由于下游封装和应用对企业提出的资金和技术要求相对较低,这恰恰与国内企业资金少,技术弱的特点相匹配,因此,国内从事这两个环节的企业数量较多。这种企业结构分布不均的局面导致中国LED产业多以低端产品为主,企业长期面临严峻的价格压力。随着国家半导体照明工程的启动,中国LED产业发展“一头沉”的状态正在发生改变,中国LED上游产业得到了较快的发展,其中芯片产业发展最为引人注目。但单从产业规模看,封装仍是中国LED产业中最大的产业链环节。2006年包括了衬底、外延、芯片、封装四个环节的中国LED产业总产值达到105.5亿元,其中封装环节产值达到87.5亿元。

 近几年,诸如显示屏、景观照明、交通指示灯、汽车应用、背光源等LED应用市场迅速兴起。这些新兴应用市场对于LED发光效率要求的不断提升催生了对中、高端产品的需求。随着市场需求的增多,中国LED芯片产业产品升级步伐逐渐加快,中国LED芯片产品将整体走向高端。另一方面,中国LED封装产业的快速发展,也为LED芯片提供了广阔的市场需求。不断扩展的市场需求为中国LED产业的发展提供了良好的外部环境。

 虽然拥有广泛的市场需求以及国家的大力支持,但我们也不得不承认,现阶段中国LED芯片产业仍然存在核心技术缺乏、专业人才短缺、产品质量不高、设备自主生产能力弱等发展困境,如何解决上述问题是我国LED芯片产业能否持续健康快速发展的关键。

矿用隔爆型LED巷道灯功率12WLED防爆灯
产品特性 1、铸铝合金外壳,压铸成型,表面喷塑,结构轻巧、美观大方; 2、采用 LED 作为光源,防眩光、光效高、寿命长、免维护; 3、优良的结构设计和的表面处理工艺,防水、防尘,确保灯具在各种恶劣的环境中可靠工作; 4、重量轻、体积小、安装简单方便。 ﹡适用范围 1、煤矿井下巷道、硐室等有甲烷场所;

1.壳体采用高强度合金铝一次性压铸成型,表面经高速抛丸清理后高压静电喷塑。外壳结构紧凑合理、材质密度高强度好、 防爆性能优良,表面塑粉附着力强具有良好的防腐能力,表面光洁,美观大方;
2.灯罩材质采用钢化玻璃,透光性好,抗高能量冲击,且为防眩光设计,经过光学二次设计并得到了实际测试的验证;
3.本系列产品增加了遥控控制系统,为客户带来更加便捷的操作。
4.灯具为一体式结构,但光源腔、接线腔分别独立,安装维护方便,电气性能可靠;
5.反光罩材质为优质铝板,其反光设计经过了专业光学软件的二次配光设计,且通过了实际测试的验证,提高了灯具的使用率;
6.采用密封结构,保证了较强的防水、防尘能力;
7.钢管布线。

在中国LED芯片产业的发展过程中,早期产品主要以普通亮度为主,生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。进入2003年后,以厦门三安、大连路美为代表的几家芯片生产企业陆续成立。针对芯片市场的需求,这些生产企业纷纷把产品重点集中在高亮度芯片,这直接带动了中国高亮度芯片产量的快速增长。一时间,中国掀起了LED芯片产业发展的新高潮,高亮度芯片成为中国LED芯片产业发展的主要推动力。2006年中国LED芯片产量达到309.3亿个,产值达到11.9亿元。  

对于高亮度芯片来说,2003年至今可称为其高速发展阶段。特别是随着厦门三安、大连路美等一批高亮度芯片生产企业的产能释放,国内高亮度芯片产量出现井喷式增长,在经历了2003年-2005年产量增长率过100%的快速增长期后,2006年高亮度芯片产量继续保持过100%的增长速度,增长率达到101.4%,芯片产值增长率也达到45.0%。

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